技术编号：7211937
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种与半导体器件制造结合使用的刻蚀方法，以及涉及使用该刻蚀方法制造半导体器件的方法，更具体涉及一种使用新的刻蚀气体刻蚀含-碳层的方法以及涉及一种使用该刻蚀方法制造半导体器件的方法。背景技术 随着半导体器件变得更集成以及其特征尺寸相应地减小，在这种半导体器件的厚度增加的同时，半导体器件的水平面积也减小。结果，单元元件的高度和用于电连接单元元件的接触增加，因此相应接触孔的高宽比也增加。在用于形成具有这种增加的高宽比的图形的刻蚀工序中，将被刻蚀的层的厚...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。