技术编号:7212077
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种功率MOSFET器件,具体涉及一种采用降低表面电场技术的横向功率MOSFET器件结构。背景技术现有的耐压大于200V的采用Single Resurfe (单层降低表面电场)技术的横向功率MOSFET器件结构如图I所示,包括P型衬底,P型衬底上形成有N阱漂移区、源区、漏区, N阱漂移区上形成有场氧区;源区通过接触孔连接源极,漏区通过接触孔连接漏极;场氧区上设置有栅多晶场板;也可在N阱漂移区的表面或中间通过增加P型层构成Double Resu...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。