技术编号:7212360
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法,且更具体地,涉及一种具有竖直型沟道的半导体器件和用于制造该器件的方法。背景技术 随着半导体器件集成度的提高,单元电荷的增加和刷新特性的改善与动态随机存取存储器(DRAM)器件的可靠性具有直接的关系。此外,DRAM器件使用具有水平型沟道的单元。图1示出具有水平型沟道的常规单元结构的横截面视图。具有水平型单元的单元结构被称为水平沟道单元。如图1中所示,多个栅线形成在衬底111之上,所述多个栅线中的每个通过将栅氧化物层11...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。