技术编号:7212550
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种多芯片发光二极管模组的结构及其制造方法,特别涉 及大功率倒装焊结构发光二极管的多芯片模组结构及其制造方法。背景技术传统的氮化镓基(GaN)发光二极管的结构,是在蓝宝石(sapphire) 基板上形成多层氮化镓的外延晶体层制成。在晶体层的P型及N型区域 上,分别形成金属电极P电极与N电极。传统发光二极管LED通常的 组装方法是,将LED芯片用界面导热材料(TIM)固定在封装支架内, 通过金线键合(Wire Bonding )连接LED器件的金属...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。