技术编号：7212560
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。这项发明涉及宽禁带氮化镓HEMT器件表面钝化处理以极提高器件击穿电压的T艺制作。 背景技术1. 宽禁带半导体象氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)有比第一代半导体Si或第一代半导体砷化镓(GaAs)高得 多的饱和电子迁移率，这意味着宽禁带半导体能在高频率下提供高得多的功率密度和T作效率。GaN 禾flSiC的超高击穿电压也使基于它们的电子器件可以T.作在很高的电压和电流，从而极火地提高效率。 最后，宽禁带半导体材料极其出众的导热率使得器件可以工作在比普通半导...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。