技术编号：7212733
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置及其制作方法，尤其涉及MIS型晶体管及其形成方法。背景技术 近年，伴随着半导体集成电路装置的高集成化、高功能化及高速化，而追求晶体管的微细化及高驱动力化。另一方面，为了应对能量消耗的削减或便携设备的长时间使用而追求低消耗功率的半导体，不过仅缩小栅长度是无法实现驱动力提高的。而且，若为了提高驱动力而使栅绝缘膜薄膜化，则产生栅漏增大的不良情况。因此，提出了通过形成具有应力的膜来对沟道施加应力从而提高驱动力的技术。图14(a)～(d)是表示以...
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