技术编号：7212868
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构，更具体地说涉及一种包括至少一个n型场效应晶体管(nFET)和至少一个p型场效应晶体管(pFET)的半导体结构，两种晶体管均包括金属栅极，不包括上部多晶硅栅电极。本发明还提供了一种制造该半导体结构的方法。背景技术 在标准互补金属氧化物半导体(CMOS)器件中，多晶硅典型地为标准栅极材料。采用多晶硅栅极制造CMOS器件的技术处于恒定的发展状态，并正被广泛用于半导体工业。采用多晶硅栅极的一个优势是它们可经受高温。然而，还存在一些与采用多...
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