技术编号:7213015
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件和制造方法,且特别是有关于一种半导体元件,其包含金属配线层(metal wiring layer)、在配线层上包含氧和硅的第一氧化层、用以改进可靠性(reliability)而不会对半导体造成等离子损伤(plasma damage)的金属间介电(inter-metal dielectric,IMD)层,和位于第一氧化层上的第二氧化层,且本发明还是一种有关前述半导体元件的制造方法。背景技术 高密度集成电路(integrated c...
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