技术编号:7213050
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基于存储材料的高密度存储元件,例如电阻随机存取存储器(RRAM),此存储材料可通过施加能量而在不同电气状态之间切换。此存储材料可为基于相变的存储材料,包括基于硫属化物的材料以及其他材料。本发明亦涉及制造这些元件的方法。背景技术基于相变的存储材料被广泛地运用于读写光盘中。这些材料包括有至少两种固态相,包括如一大部分为非晶态的固态相,以及一大体上为结晶态的固态相。激光脉冲用于读写光盘中,以在二种相中切换,并读取此种材料在相变之后的光学性质。如硫属化物...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。