技术编号:7213109
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种双极结型晶体管(BJT)。更特别地,本发明涉及具有第二浅沟槽隔离(STI)区的BJT及其形成方法,所述第二浅沟槽隔离(STI)区以不超过90°的底切角与这种BJT的有源基极区底切。背景技术 图1示出了常规双极结型晶体管(BJT),其典型地包括发射极、集电极、有源基极和非本征基极。集电极形成在一对浅沟槽隔离(STI)区之间的半导体衬底的表面中,所述一对浅沟槽隔离(STI)区将BJT的集电极与位于衬底表面中的其它器件结构电隔离。典型地由硅和锗硅形...
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