技术编号:7213122
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造4支术领域,特别涉及一种。 背景技术随着半导体工艺线宽的日益减小,业界选用铜代替铝作为后段的互连材 料,相应的选用低介电常数材料作为绝缘材料,由于铜难以刻蚀且极易扩散, 业界引入镶嵌工艺,克服难以刻蚀的缺点,并引入阻挡层阻挡铜在低介电常数材料中的扩散。专利申请号为02106882.8的中国专利公开了 一种镶嵌工艺, 图1至图4为所述公开的镶嵌工艺的制造方法剖面示意图。如图1所示,提供一具有金属导线层的基底IOO,所述金属导线层材质可 以...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。