技术编号:7213158
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及一种使用厚度为200A的钴金属硅 化物来。背景技术低温热工艺是冶金材料工艺中,非常常见的一种工艺技术。它的目的是要消除材料中(尤 其是金属材料)因缺陷所累积的内应力。所使用的方法是将材料置于适当的高温下一段时间, 利用热能,使材料内的原子有能力进行晶格位置的重排,以降低材料内的缺陷密度(Defect Density)。而材料主要的缺陷来源于晶粒边界(Grain Boundary)、差排(Dislocation)及各种的点缺 陷(Po...
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