技术编号：7213293
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及铟镓砷/镓砷(InGaAs/GaAs)长波量子阱红外探测器，具体是指一种共振隧穿双势垒结构增强的InGaAs/GaAs多量子阱红外探测器。背景技术 近十五年来，随着低维材料的迅猛发展，量子阱红外探测器的研发十分活跃。相比传统的碲镉汞红外探测器，量子阱探测器的优点是材料的均匀性好，器件制作工艺成熟，抗辐照、成本低。对于焦平面列阵探测器而言，这些优点表现的更为明显。但是，量子阱探测器由于较大的暗电流和较低的量子吸收效率及由此产生的较小的光电流在应用上...
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