技术编号:7213311
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体组件的制造方法,且特别是有关于一种具有埋入式源/漏极区(Buried Source/Drain)的存储器组件的制造方法。本发明的又一目的就是提供一种具有,随着降低源/漏极的片电阻,可以增加字符线(WordLine)的最大线宽(The Maximum Line Width)。本发明的另一目的就是提供一种具有,以增进存储器组件的操作速率(Operation Speed)。根据上述与其它目的,本发明提出一种具有,该方法是于基底上形成一介电...
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