技术编号:7213354
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光二极管的结构。本发明还涉及一种发光二极管的 结构的制作方法。技术背景现有的发光二极管的结构可参见图l所示,由下到上依次包括衬底层l、缓冲层2、未掺杂的GaN层3、 N型GaN层4、多量子阱层5、 P型A1G認层 6、 P型GaN层7和接触层8,所述接触层上设置有P型电极,所述N型GaN 层上设置有N型电极。所述N型GaN层掺有Si元素。使用MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor D印osition金属有机化...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。