技术编号:7213499
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般地涉及用于沉积基于硅的材料的方法。更具体地,本发明涉及用于制备多层氮化硅膜的化学气相沉积技术。背景技术 氮化硅膜被常用于形成集成电路的器件的制造。依据所沉积的膜的具体应用,这些膜必须具有不同的特性。对于某些应用来说要重点控制的一个特性是膜应力。例如,在一些应用中,理想的是形成具有较高应力(与下方的硅衬底相比)的氮化硅膜,以提高通过硅的电子迁移率。这样的提高的电子迁移率提高了NMOS/NFET器件的速度。在其它的应用中,理想的是形成具有较低...
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