技术编号:7213595
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别是指一种优化的选区生长技术,它可以在选择区域内、外同时生长出高质量铟镓砷磷(InGaAsP)多量子阱材料。本发明一种,其特征在于在覆盖有介质膜图形的衬底上采用三族有机源三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟和五族源砷烷、磷烷生长铟镓砷磷多量子阱。其中选择生长铟镓砷磷多量子阱时,采用三乙基镓和三甲基铟为三族源生长垒和限制层材料,采用三甲基镓和三甲基铟为三族源生长阱材料。其中混合三甲基镓、三乙基镓选择区域生长铟镓砷磷多量子阱材料,是采用以下步骤实现...
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