技术编号:7213711
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种太阳能电池的新结构,属于太阳能应用领域。背景技术 晶体硅太阳能电池占据着世界光伏市场90%以上的份额。这种电池一般采用P型晶体硅,通过高温扩散形成N型发射区,属于同质PN结太阳能电池。但这种电池的缺点是高温扩散可能会使硅材料产生更多的缺陷,而且高温过程中若有污染则会极大地降低电池的效率,因此对材料和生产环境都提出了较高的要求。另外,这种电池的背表面没有有效的钝化,也没有有效的陷光结构,因而背表面的复合比较严重,还有一部分光穿透了电池活性区...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。