技术编号：7213714
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种横向DMOS晶体管，具有一个第一导电类型的第一区域，该第一区域被一个第二导电类型的第二区域在侧面围绕，其中在两个区域之间的一个边界线具有彼此相对的直的区段以及将这些直的区段相连接的、至少部分弯曲的区段，该DMOS晶体管还具有一个用作场区的第一介电结构，该第一介电结构被嵌入该第一区域中并且围绕该第一区域的一个部分区域。背景技术 DMOS晶体管被理解为具有源区、沟道区和漏区的场效应晶体管，其中漏区通过漂移区与沟道区分离。沟道区的导电能力通过栅极电...
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