技术编号:7213766
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及到电子学,更确切地说是涉及到制作半导体器件与结构的方法。背景技术 以前,半导体工业利用各种方法和结构来制作纵向的金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管。这些纵向的晶体管一般是利用半导体衬底的掺杂区来制作晶体管的源极接触区,并在源极接触区内制作晶体管的本体区。通常制作的源电极与源区和本体接触区二者电接触。这样的一种纵向晶体管的实例公开在1990年10月2日公布的4,960,723号美国专利中,这里引用作为参考。从源电极至源区和本体区的电阻常会影响...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。