技术编号:7213811
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件和用于设计此半导体器件的方法,特别地,本发明涉及一种通过采用平面化设置有用于间层(或层间)膜的二氧化硅的半导体器件和用于设计所述半导体器件的方法。背景技术 近来,在现代半导体器件中,用于组成互连结构所需的层的数量增加得越来越多,以便具有较低生产成本的同时,获得更高的元件密度;并且新技术和新材料也用于获得改进的多层互连。在这些新技术中,典型的技术是通过采用经旋转涂覆工艺生产的二氧化硅膜(后文简称为“二氧化硅”)实现间层(或层间)绝缘膜...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。