技术编号：7213829
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管及其制备方法，尤其是ZnO基纳米线发光二极管及其制备方法。背景技术 ZnO由于其室温下3.37eV的带宽和60meV的激子束缚能，被认为是一种理想的短波长发光器件材料。目前，p-ZnO薄膜的制备取得了重大进展，使得实现ZnO基发光二极管成为可能。另一方面，半导体纳米线由于其自组装的生长机理，单根纳米线具有优异的结晶质量。更由于量子局域效应，纳米线具有比体材料更高的激子束缚能和更好的发光性能。因此以纳米线作为发光二极管的有源层，可以大大提...
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