技术编号：7214052
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体光发射装置的制造方法、一种半导体光发射装置、一种半导体装置的制造方法、一种半导体装置、一种装置的制造方法、以及一种装置，其例如适合用作制造由氮化物III-V化合物半导体组成的半导体激光器、电子传输设备或发光二极管。背景技术 广泛使用的用于制造半导体装置的传统方法为首先在适当的衬底上生长所需的半导体层并且随后处理该些层。通常，半导体层性质易于改变，对在衬底上相关信息(following information)非常敏感，例如其的晶格常数的...
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