技术编号:7214092
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器件,更特别地,涉及非易失性可变电阻存储器件,其在包括具有可变电阻特性的过渡金属氧化物的存储器件的下电极上采用缓冲层,从而导致复位电流(reset current)减小。背景技术 已经进行了许多努力来研发具有增大的每单位面积存储单元数,即增大的集成密度的半导体器件,且该半导体器件可以以低功耗高速运行。通常,半导体存储器件包括通过电路连接的多个存储单元。在用作一般半导体存储器件的动态随机存取存储器(DRAM)中,单位存储单元通常包括一个...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。