技术编号：7214099
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁阻效应元件，特别涉及在磁头或存储器等器件中使用的、在保持高MR比的同时将磁致伸缩常数抑制为较小的磁阻效应元件。背景技术 磁阻效应元件使用在作为非易失性存储器而公知的MRAM(磁性随机存储器)和磁头及磁传感器等上。该磁阻效应元件基本上具有包括固定强磁性层/阻挡层/自由强磁性层的三层构造的膜构造。在两个强磁性层间流过电流时，电阻在两个强磁性层的磁化为平行于层的相同的方向时较小(Rp)，在为平行于层的相反的方向时较大(RA)。表示两个强磁性层的磁化方...
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