技术编号：7214111
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。更具体而言，本发明涉及一种半导体结构，其在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的沟道和硅化源极/漏极区之间具有与延伸区注入和器件重叠(即Miller)电容无关的低电阻延伸区连接(在小于50欧姆/平方，优选从约2到30欧姆/平方的量级；现有技术的值通常从约50到约500欧姆/平方)。本发明还提供了一种制造这样的半导体结构的方法，其中位于硅化源极/漏极区和沟道之间的源极/漏极延伸区的部分被选择性地用金属或金属间材料镀覆。背景技术 场效应...
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