技术编号:7214159
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种表面处理方法,特别是涉及一种氟硅玻璃(fluorinatedsilicate glass,FSG)层表面处理的方法。背景技术 随着半导体制作工艺的线宽越来越细,各金属内连线层间的介电层必须具有低介电常数、良好的填沟能力(gap-filling properties)、稳定的机械强度(mechanical stability)以及低吸水性等特性。降低介电层的介电常数可以避免寄生电容影响信号传递的速度。以往二氧化硅为最典型的介电材料,但它的介电常...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。