技术编号：7214395
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 近来，为了降低布线的电阻并提高对成为不合格布线起因的迁移例如电迁移(EM)和应力迁移(SM)的抵抗力，已经使用Cu代替Al作为半导体器件的布线。很难通过用于Al的RIE(反应离子蚀刻)制造Cu。因此，使用下列镶嵌方法来形成Cu布线。具体地说，在绝缘膜的表面上形成凹槽和孔，在绝缘膜上形成Cu膜以便在凹槽和孔中埋入Cu，然后通过化学机械抛光除去Cu膜的不必要部分。结果，形成布线。作为根据镶嵌方法的Cu膜形成方法，广泛地使用电解镀敷方法。为...
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