技术编号:7214412
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种在半导体底材上形成栅极的方法,特别是有关一种降低栅极 漏电流的方法。背景技术先前技术对于栅极的制作方法与栅极介电层材料的选用,仍有许多问题等待 克服,例如栅极电阻过高、栅极介电层漏电流过高、多晶硅栅极消耗等。目前栅极金属的选用材料,通常是耐火金属或是耐火合金的氮化物以及金属铝。耐火金属包括钛(Ti, titanium)、钽(Ta, tantalum)、钨(W, tungsten)、钼 (Mo, molybde皿ra)、锆(Zr, zircon...
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