技术编号:7214424
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基于填充四面体(filled tetrahedral,FT)半导体的发光器件和磷光体。背景技术 近年来,正在进行关于通过调制已被认为是物质所固有的能带结构,来调制该物质特有的光学特性,例如发射和吸收的能带工程的积极研究。例如,量子点(或量子线或超晶格)和应变效应公知为典型的能带工程技术。通过三维地(或二维地或一维地)减小物质的尺寸和限制其中的电子,量子点(或量子线或超晶格)产生调制能带结构。应变效应表示对物质施加拉应力和压应力来调制能带结构的效应...
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