技术编号：7214439
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体蚀刻方法，并尤其涉及一种当蚀刻制 程中断后欲恢复此蚀刻制程时，能够保护金属层不受到底切现象 影响的再蚀刻方法。背景技术在半导体的制造程序当中，微影与蚀刻制程对于线路图案的定义是非常重要的。然而随着半导体制程技术的演进，各制程的 特征尺寸逐渐縮小，因此半导体中的导线线宽也随之越来越窄。以金属导线的形成为例，典型的作法是先形成一金属层，接 着在此金属层上形成一光阻层。利用一具有预定图形的光罩针对 此光阻层进行曝光、显影等步骤，使得光阻层中遭...
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