技术编号:7214511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体激光二极管,尤其涉及一种具有有源层上的脊状层的半导体激光二极管。背景技术 由于半导体激光二极管要求针对所加功率的高光取出效率,因此正在进行优化其结构的研究。典型的半导体激光二极管具有接触p型盖层的整个表面的p型电极,难以使用有源层中产生的激光工作在单横向模式下。因此,为了实现单横向模式工作,在有源层上形成脊状盖层。图1示出了在具有脊的传统半导体激光二极管中,载流子从p型电极15流向n型电极17的路径。参考图1,传统的半导体激光二极管包括...
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