技术编号:7214579
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造具有连通孔的制品的方法。此外,本发明涉及通过使用双镶嵌工艺制造半导体器件的方法。背景技术 通常,Cu已经用作半导体器件的布线材料。但是,很难将图形转印到Cu本身。因此,已经注意到镶嵌工艺,特别是双镶嵌工艺,其中同时形成用于布线或形成电极的沟槽以及通孔。关于使用此双镶嵌工艺制造半导体器件的方法,下面说明在日本专利特开No.2004-221191中公开的一种技术。在图9A中,附图标记1901表示Cu布线,附图标记1902表示SiC膜,附图标记...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。