技术编号:7214631
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,更具体地,涉及一种具有低工作电阻(operation resistance)的。背景技术 图1是示出传统高压半导体器件实例的剖视图。参照图1,n型漂移区110配置在p型半导体衬底100上的预定区域。n+型源极区域121配置在半导体衬底100的表面上,并以预定间隔与n型漂移区110相隔。n+型漏极区域122配置在n型漂移区110上。沟道区域102配置在n型漂移区110与n+型源极区域121之间的半导体衬底100的表面上,...
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