技术编号：7214648
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氧化物P-i_n结器件及其制备方法，更具体地涉及全金属性氧化物 p-i-n结器件及其制备方法。背景技术传统的半导体p-n结作为半导体集成电路中的基本元件在半导体电子工业中得到 广泛的应用。常见的半导体材料如硅和锗其本征晶体导电性很弱，而通过引入不同 价态的杂质元素使得半导体晶体变为以电子为主要载流子的n型半导体或以空穴为主 要载流子的p型半导体。将合适的p型和n型半导体结合在一起，p型半导体和n型半 导体之间的载流子由于电子浓度差相互扩散，在两种...
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