技术编号:7214674
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及锑化镓(GaSb)晶体外延生长技术,尤其涉及--种采用三 缓冲层生长工艺在砷化镓(GaAs)衬底上外延生长GaSb的方法背景技术GaSb基半导体材料(晶格常数为6.1A的InAs, GaSb, AlSb及其三元化合物),无论在光学特性还是电学特性方面都很好的弥补了传统半导 体材料的缺点,是制备高速、低功率的电子器件-高电子迁移率晶体管 (HEMT)或中远红外探测器和激光器(InAs/GaSb,超晶格红外探测器和 激光器)的首选新型材料。虽然GaS...
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