技术编号:7214732
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件的工艺方法,尤其涉及一种在含等离子体 的化学气相沉积机台中连续沉积多层膜的方法。背景技术化学气相沉积工艺是一种将反应气体导入高温的反应腔室之中,藉由 反应气体之间的化学反应来沉积薄膜的技术。化学气相沉积工艺是许多半 导体工艺中经常使用的 一种沉积方法。化学气沉积工艺可包括低压化学气相沉积(LPCVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、等离子体增强型化学气相 沉积(PECVD)以及高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)等工艺,其中...
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