技术编号：7214764
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光元件，具体涉及通过在具有衬底保护层的氧化镓衬底上生长晶体所形成的发光元件。而且，本发明还涉及发光元件的制造方法。背景技术 通常，已知发光元件包含由SiC构成的衬底和形成在衬底上的n-型层和p-型层的叠层，所述层由GaN构成(例如，称作专利文件1的JP-A-2002-255692)。另一方面，为了得到包含透过紫外部分光的衬底的发光元件，因而可以提供透过可见光部分至紫外光部分的无色透明导电材料，可以使用所述导电材料作为衬底来形成垂直电极结构并且衬...
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