技术编号：7215090
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域中用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻的微光刻方法，特别适用于各种化合物半导体器件和集成电路等器件的T形栅的生产制造。背景技术 目前制造T形栅的方法有各自的弱点。例如，用电子束光刻的方法，需使用2～3层光刻胶和不同比例剂量曝光，经过1～2次显影，方能产生T形栅光刻胶结构，工艺复杂。电子束曝光的效率很低，不适应生产要求；第二种使用版上现场斜照明的二元铬掩模的光刻方法(BIM＋DDM技术)，由于未使用移相掩模技术，曝光产生的光强分布不...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。