技术编号：7215184
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。所公开的方法和系统涉及一种相变存储器件，更具体而言，涉及具有提高的电流驱动能力的相变存储器件及其制造方法。背景技术 相变随机存取存储器(PRAM)利用诸如任何数量的硫属元素化物(chalcogenide)合金的相变材料储存数据，所述相变材料能够基于施加到所述材料上的具体加热过程和冷却过程而成为晶态或非晶态。与处于非晶态的相变材料的电阻相比，处于晶态的相变材料的电阻较低。通常，我们将晶态称为置位(或“0”)状态，将非晶态称为复位(或“1”)状态。相变存储器是...
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