技术编号：7215265
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、。 背景技术 近年来，PZT、SBT等强电介质膜或使用其的强电介质电容器、强电介质存储器装置等的研究开发盛行。强电介质存储器装置的构成可大致分成1T型、1T1C型、2T2C型、单纯矩阵型。其中，由于1T型在结构上在电容器中产生内部电场，所以保持力(数据保持)短至1个月，不能满足半导体一般要求的10年保证。1T1C型、2T2C型与DRAM的构成大致相同，为了具有选择用晶体管，可适...
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