技术编号：7215743
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及具有由沟槽电容器和纵向晶体管构成的DRAM单元的。背景技术 使用由1个晶体管/1个电容器构成的存储单元的DRAM，艰难地走上了高集成化的道路，每一代产品都要谋求单元面积的缩小。为缩小单元面积，基本上说必须分别减小作为构成要素的晶体管和电容器的占有面积。对于电容器来说，问题是在小的单元占有面积中如何确保所需要的电容器电容。为此，每一代产品都要开发用来使电容器绝缘膜高介电系数化或增大有效电容器面积的构造。对于晶体管来说，则要以比例缩小法则...
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