技术编号:7217246
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种属于图像传感器技术和粒子辐照方法领域。本发明的特征在于辐照温度为室温,辐照剂量为40~120Krad(Si);在γ射线辐照后进行退火,退火温度为室温至100℃,退火时间为40分钟至15天,其退火时间随着退火温度的升高而减少,气氛为空气。对于彩色CMOS图像传感器而言,辐照剂量小于60Krad(Si)为宜。使用证明它达到了预期目的。1a,未辐照;1b,用100Krad(Si)γ射线剂量辐照;1c,用100Krad(Si)γ射线剂量辐照并在室温放置10天。...
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