技术编号：7220376
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在发光二极管(LED)中引入的电流输运增透窗口层结构，涉及一种新型的LED器件 结构，属于半导体光电子。 背景技术目前，普通的正装结构发光二极管的设计方法及其存在的问题 一般采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)进行外延生长，器件结构如图1所示，包括有从上往下依次纵向 层叠生长的上电极IO、电流扩展层20、上限制层30、有源区400、下限制层50、缓冲层 60、衬底70、下电极80。通过注入电流，电子空穴对在有源区辐射复合发光，产生的光 子从器件的正面发射...
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