技术编号：7220756
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的涉及半导体器件，更具体地说涉及具有非对称电介质 区域的半导体器件。背景技术诸如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件 可以具有非对称的摻杂源极和漏极区以增加驱动电流并减少宇称 (parity)。在现有技术中，非对称的源极和漏极摻杂区可以具有不同的 掺杂剂或不同数量的注入区。此外，为了形成不同的摻杂剂区域，栅 电极两侧上的间隔件可以具有不同的形状或尺寸。虽然这些现有技术 允许增加驱动电流，但是为了形成这些非对称掺杂的半导体器件，要...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。