技术编号:7220806
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,尤 其是适合于形成半导体器件的方法。这种方法例如可以用于在同质 结太阳能电池的背面上形成金属/半导体触点。背景技术工业级太阳能电池的制造追求两个目标,提高太阳能电池的效 率以及提高制造这些太阳能电池的生产率。所制造的多数太阳能电 池基于晶体石圭。可以将太阳能电池分为两类异质结太阳能电池和 同质结太阳能电池。传统的制造晶体硅同质结太阳能电池的方法如下将掺杂N或P的硅衬底置于扩散炉中,从而在该衬底的一个面 上,当硅被掺杂N时形成摻杂P +的区,...
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