技术编号：7220919
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及非晶硅太阳能电池的。背景技术目前的非晶硅电池在未封 装之前，一般分为四层，第一层为玻璃层，第二层为前电极层，第三层为非晶硅层，第四层为背电极层，太阳能电池需要经过激光刻蚀后形成ー个ー个小电池的串联。太阳能电池エ艺中需要经过四次激光刻蚀，分别为Pl，P2, P3, P4。对应刻蚀的膜层如下P1刻蚀前电极，P2 刻蚀非晶硅层，P3 刻蚀非晶硅层、背电极层，P4刻蚀边缘，做绝缘处理。对于大块的太阳能电池来说，工作电压一般比较大，与目前市场上使用的逆...
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