技术编号:7221173
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,尤其是涉及具有受到应力作用以改善集成 电路性能的层间电介质的集成电路。背景技术已在开发的用于改善晶体管迁移率的技术之一是应变硅。典型地,硅层受到拉伸应力作用以改善N沟道迁移率。这已被扩展到使用 层间电介质(ILD),即夹在导电层之间的电介质层,其受到选择的 应力作用来改善晶体管性能。对于N沟道晶体管而言这意味着使用拉 伸应力,而对于P沟道晶体管而言这意味着使用压缩应力。附图说明下文中结合下列附图对本发明优选实施方案的详细描述将向本 领域...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。