技术编号:7221300
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造中光致抗蚀剂掩模的使用。本发明尤 其涉及在半导体器件制造过程中通过光致抗蚀剂掩模蚀刻介电层。背景技术在半导体晶片处理过程中,使用熟知的图形化和蚀刻工艺在晶片中确定出半导体器件的特征(feature)。 在这些工艺中,在晶片上 沉积光致抗蚀剂(PR)材料,然后经过光刻版滤光对其进行膝光。光 刻版可以是图形化的透明的板,它具有能阻止光通过光刻版传播的有 代表性的特征几何图形。光通过光刻版之后,会接触光致抗蚀剂材料的表面。光会改变光 致抗...
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