技术编号:7221497
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光和激光装置及方法,且还涉及用于增强高速光学信号产生 的激光晶体管和技术,并也涉及包含混波调制激光晶体管和技术的装置及方法,且还 涉及PNP双极晶体管、PNP双极发光晶体管和PNP双极晶体管层。背景技术本背景技术的一部分取决于对基于直接带隙半导体(诸如III-V半导体)的光发 射极的开发。此类包含发光二极管和激光二极管的装置在商业领域中普遍使用。本背景技术的另一部分取决于对宽带隙半导体的开发以在称为异质结双极晶体 管(HBT)的装置中获得...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。